收藏本站
Chapter 3 – iNAND Interface Description
Revision 1.1
3.4.3
PRELIMINARY
Card Specific Data Register
SanDisk iNAND Product Manual
The Card Specific Data (CSD) Register configuration information is required to access
iNAND data. The CSD defines the data format, error correction type, maximum data
access time, etc. The field structures of the CSD Register vary depending on the physical
specifications and card capacity. The CSD_STRUCTURE field in the CSD Register
indicates which structure version is used. Table 3-5 shows the version number as it relates
to the CSD structure. Refer to Section 5.3.1 of the SDA Physical Layer Specification,
Version 2.00 for more information.
Table 3-5
CSD Register Structures
CSD_STRUCTURE
0
1
2-3
CSD Structure Version
CSD Version 1.0
CSD Version 2.0
Reserved
Valid for SD Memory Card Physical
Specification Version / Card Capacity
Version 1.01 to 1.10
Version 2.00 / Standard Capacity
Version 2.00 / High Capacity
---
Table 3-6 provides an overview of the CSD Register. More field-specific information can
be found in Section 5.3.2, Table 5-4 of the SDA Physical Layer Specification, Version 2.00 .
Table 3-6
CSD Register (CSD Version 1.0)
Field
CSD_ STRUCTURE
---
TAAC
NSAC
TRANS_ SPEED
CCC
READ_BL_ LEN
READ_BL_ PARTIAL
WRITE_BLK_ MISALIGN
READ_BLK_ MISALIGN
DSR_IMP
---
C_SIZE
VDD_R_ CURR_MIN
VDD_R_ CURR_MAX
? 2007 SanDisk Corporation
CSD Value
1.0
---
1.5 msec
0
Default 25MHz
High-speed 50MHz
All (inc. WP,
lock/unlock)
2G
Up to 1G
Yes
No
No
No
---
2 GB
1 GB
512 MB
According to card
performance
According to card
3-5
Description
CSD structure
Reserved
Data read access time-1
Data read access time-2 in CLK cycles
(NSAC*100)
Max. data transfer rate
Card command classes
Max. read data block length
Partial blocks for read allowed
Write block misalignment
Read block misalignment
DSR implemented
Reserved
Device size
Max. read current @VDD min.
Max. read current @VDD max.
02/09/07
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SDK-DM3730-10-256512R KIT DEV ZOOM FOR AM/DM37X
SDK-DM3730-20-256512R KIT DEV ZOOM FOR AM/DM37X
SE162216 ENCLOSURE ASSY 6U X 19" X 16"
SF-2194 RACK SWING FRAME 38"X21.25" BLK
SF-2294 RACK SWING FRAME 35" X 19"
SFD1200-12BG FRONT END DC/DC 1200W 12V
SFH21-PPPN-D07-ID-BK-M181 CONN RECEPT 14POS 2MM IDT GOLD
SFH21-PPPN-D20-ID-BK CONN RECEPT 40POS 2MM IDT GOLD
相关代理商/技术参数
SDIN2C1-512M 功能描述:IC INAND FLASH 512MB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
SDIN2C1-512M-Q 功能描述:IC INAND FLASH 512MB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
SDIN2C1-512M-T 功能描述:IC INAND FLASH 512MB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
SDIN2C2-1G 功能描述:IC INAND FLASH 1GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
SDIN2C2-1G-T 功能描述:IC INAND FLASH 1GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
SDIN2C2-2G 功能描述:IC INAND FLASH 2GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
SDIN2C2-2G-T 功能描述:IC INAND FLASH 2GB 169FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
SDIN2C2-8G 制造商:SanDisk Corporation 功能描述:8GB, 169FBGA 12X16, OEM